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Markteinführung der Siemens 8086 Prozessoren war 1978.
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29.000 Transistoren
3,0 µm MYMOS Fertigungstechnologie
16 Bit interner Datenbus
16 Bit externer Datenbus
20 Bit Adressbus
unterstützt bis zu 1024 KB Speicher
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SAB8086-C
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
5,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
15/1984
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purpur Keramik, Gold-Top
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SAB8086-1-C
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
10,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
29/1984
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purpur Keramik, Gold-Top
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SAB8086-2-C
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
8,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
41/1984
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purpur Keramik, Gold-Top
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SAB8086-4C
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
4,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
05/1982
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purpur Keramik, Gold-Top
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SAB8086-4C
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
4,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
05/1982
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purpur Keramik, Silber-Top
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SAB8086-C T40/85
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
5,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
09/1982
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purpur Keramik, Gold-Top
Temperaturbereich -40°C bis +85°C
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SAB8086D
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40-Pin CerDIP
5,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
39/1979
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SAB8086-1D
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
10,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
32/1986
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Relabled, ursprünglich ein 8086-1
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SAB8086-2D
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40-Pin CerDIP
8,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
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SAB8086DQ
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
5,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
39/1988
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CPU mit burn-in screening
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SAB8086-1DQ
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
10,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
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CPU mit burn-in screening
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SAB8086-2DQ
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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40-Pin CerDIP
8,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
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CPU mit burn-in screening
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SAB8086-P
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40-Pin PDIP
5,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
24/1989
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SAB8086-1-P
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40-Pin PDIP
10,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
03/1988
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SAB8086 2 P
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40-Pin PDIP
8,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
28/1989
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SAB8086-N
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44-Pin PLCC
5,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
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SAB8086-1-N
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44-Pin PLCC
10,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
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SAB8086-2-N
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CPU-Typ:
CPU-Takt:
Busbreite intern:
Busbreite extern:
Adressbusbreite:
Transistoren:
Technologie:
Volt:
Produktionsdatum:
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44-Pin PLCC
8,0 MHz
16 Bit
16 Bit
20 Bit
29.000
MYMOS 3,0 µm
5 Volt
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